介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀:GDAT-A
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
的詳細(xì)資料:
一、 概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量:
☆a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。 ☆ b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
☆ c.標(biāo)稱誤差
項(xiàng) 目 頻率范圍 固有誤差 工作誤差
GDAT-A 20kHz~10MHz; ≤5%±滿度值的2%; ≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍 固有誤差 工作誤差 電感測(cè)量范圍
10MHz~60MHz; ≤6%±滿度值的2%; ≤8%±滿度值的2%。 14.5nH~8.14H
3.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀:
項(xiàng) 目 直接測(cè)量范圍 主電容調(diào)節(jié)范圍 電容測(cè)量 準(zhǔn)確度
GDAT-A 1~460pF 30~500pF 1~ 460 150pF以下
±1.5pF;
150pF以上±1%
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目 頻率范圍 頻率分段
GDAT-A 10kHz~50MHz 虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
頻率指示誤差
3×10-5±1個(gè)字
5.Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍:5~1000。
6.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
8.產(chǎn)品配置:
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);
b.電感9只;
c.夾具一套
電感:
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
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