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電壓擊穿試驗儀瞬態(tài)脈沖

點擊次數(shù):1247  更新時間:2015-01-04

電壓擊穿中的瞬態(tài)脈沖產(chǎn)生的機理   

   

電容C每次擊穿觸點時都要向電源回路反向充電,因此在電源回路上形成很大的脈沖電流,由于電源回路也有阻抗存在,脈沖電流通過電源回路時,在其兩端就要形成脈沖電壓,而共用此電源回路的其它的電路(或繼電器及裝置就要受到該脈沖電壓的影響。

這就是瞬態(tài)脈沖騷擾形成的原因。

隨著觸點間隙的變化,擊穿觸點間隙所需要的電壓是變化的。

當觸點間隙越來越大時,擊穿電壓越來越高。因此電容C上的電壓也要越來越高。

當觸點擊穿所需要的電壓越高時,電容充電的時間就越長,振蕩波形的頻率就越低。


在開關斷開電感負載電路的過程中,在電感上要產(chǎn)生反電勢。

根據(jù)楞次定律:這個反電勢應為。反電勢要向寄生電容C反向充電,隨著充電電壓的升高,當達到一定數(shù)值時,在觸點之間要出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,形成導電通路。

一旦出現(xiàn)導電通路時,電容C就要開始放電,使電壓下降,當電壓降到維持觸點導通電壓以下時,觸點又將處于斷開狀態(tài)。

上述過程就要重復發(fā)生,此過程重復到觸點的間距大至電容上電壓不能使觸點間再擊穿為止。

當電容不能通過擊穿觸點放電時,就通過電感回路放電,直至電感中能量消耗完為止。


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電壓擊穿試驗儀

介電擊穿強度試驗儀

耐電壓擊穿強度試驗儀

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